samsung телефон
Трюк № 26. Регулировка напряжения
81
п
ПРИМЕЧАНИЕ
Как AMD, так и Intel выпускают обновленные версии своих
samsung
продуктов. Таблица 3.4 не может рассматриваться как полное, исчерпывающее описание по всем процессорам
samsung
или версиям.
Стандартную частоту шины PCI 33 МГц
samsung
обычно удается повысить на 10-20 %, до интервала от 36 до 40 МГц, но это
телефон зависит от того, справятся ли с этой скоростью периферийные устройства (видео, сетевые и
samsung
звуковые адаптеры). Я также пытался разогнать старый процессор Pentium III, но столкнулся с проблемами. Первые признаки проявились еще
телефон
на стадии POST. Когда система работала на стабильном разгоне «124/31», тест памяти сообщал о
samsung наличии 524 288 Кбайт памяти (512 Мбайт). телефон После включения
samsung режима
samsung
«124/41» процессор продолжал работать на 744 телефон МГц, но после
samsung загрузки и запуска операционной системы проявились признаки нестабильности. Разгон до режима 133/33 позволил
samsung
системе работать на 800 МГц, но тест памяти стал останавливаться па 360 Мбайт (рис. 3.23).
1 Guard Medallion BIOS v6.8, fin Energy Star fill ^Copyright (C)
телефон
телефон 1984-2888,
samsung fluard Software, Inc.
Ш P3B-F ACPI BIOS Revision 1006
Intel(R) Pentiun(F) III 888EB Mft Processor 4enorylest :
телефон
368448K OK
tord Plug and Play BIOS Extension vl.Oft Initialize Plug and Play Cards... 7HP Init Conpleted
Рис. 3.23. После разгона тест перестает обнаруживать часть телефон оперативной памяти
ВНИМАНИЕ
Сбои на стадии POST обычно говорят о том, что чипсет, память
samsung
или шина ввода/вывода не может справиться с более высокой скоростью. samsung Рекомендуется использовать тактовые частоты, при которых скорости шины PCI и AGP превышают номинал не более
телефон чем на несколько процентов.
№26
Регулировка напряжения
От напряжения процессора зависит стабильность работы системы.
Настоящие любители samsung разгона стремятся «подкрутить» каждый доступный параметр, чтобы
телефон
выжать из процессора и системной платы все возможное быстродействие.